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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种光电导装置-CN202011374359.7在审
  • 蒂姆柯蓝;马克西姆 - 刘慧
  • 2020-11-30 - 2021-03-09 - G02F1/03
  • 本发明涉及一种光电导装置，包括：被配置为发光的光源；放置用于接收来自光源的光的晶体材料，其中该晶体材料被掺杂有掺杂剂，该掺杂剂在该晶体材料的带隙内形成中间带隙状态以控制该晶体材料的复合时间；第一电极，其耦合到所述晶体材料以为所述晶体材料提供第一电接触；以及第二电极，其耦合到所述晶体材料以提供用于所述晶体材料的第二电接触，其中所述第一电极和所述第二电极被配置为在所述晶体材料上建立电场，并且其中所述晶体材料被配置为呈现基本线性的响应于从光源接收光而产生的跨导；还包括在晶体材料上的反射涂层，以允许光在晶体材料内反射；晶体材料包括输入孔，以允许光从第一端进入晶体材料，以及在输入孔的相对端上的小平面，该小平面相对于进入晶体材料的光的路径倾斜。
  • 一种电导装置
  • [发明专利]晶体材料的重结晶方法-CN202211318594.1在审
  • 何力;骆军委;温书育;朱元昊 - 中国科学院半导体研究所
  • 2022-10-26 - 2023-01-13 - C30B33/02
  • 本发明提供一种晶体材料的重结晶方法，包括：在晶体材料的表面沉积一层覆盖层；使用脉冲激光对所述晶体材料沉积有覆盖层的一面进行辐照，使所述晶体材料受热冷却结晶，在所述晶体材料靠近所述覆盖层的一侧形成重结晶层；刻蚀掉所述晶体材料表面的覆盖层，露出所述重结晶层。本发明通过向晶体材料表面预沉积覆盖层并使用脉冲激光退火处理晶体材料，实现晶体材料的高质量再生并有效抑制掺杂原子损失问题。
  • 晶体材料重结晶方法
  • [发明专利]基于注意力机制的材料晶体属性预测方法-CN202211412413.1有效
  • 鲁鸣鸣;宁瑞鸿;周星洋;王超 - 中南大学
  • 2022-11-11 - 2023-07-11 - G16C60/00
  • 本发明公开了一种基于注意力机制的材料晶体属性预测方法，包括获取每一个材料的晶体学信息文件和属性特性数据；对每个材料的晶体结构建模得到晶体图；构建晶体图的几何结构信息的特征表达；将晶体图和步几何结构信息的特征表达输入到构建的材料晶体属性预测初步模型中并训练得到材料晶体属性预测模型；将目标材料的晶体学信息文件输入到材料晶体属性预测模型得到最终的目标材料的晶体属性预测结果。本发明综合考虑了晶体几何结构特征与节点相关性两方面信息，因此本发明方法的可靠性高、精确性好，客观科学，而且本发明方法的计算速度更快，效率更高。
  • 基于注意力机制材料晶体属性预测方法
  • [发明专利]一种晶体材料红外性能预测方法及系统-CN202210413220.1在审
  • 罗光谱;宫声凯;裴延玲;赵文月;尚勇;陈小雨;吴鹏 - 北京航空航天大学
  • 2022-04-20 - 2022-07-15 - G01N21/35
  • 本发明公开了一种晶体材料红外性能预测方法及系统，涉及晶体材料性能预测领域，所述方法包括：基于分子结构确定目标晶体材料的能带图和态密度分布；根据能带图和态密度分布计算目标晶体材料的本征吸收光谱；计算目标晶体材料的声子能带图和声子态密度分布；根据声子能带图和声子态密度分布计算目标晶体材料的自由载流子吸收光谱和声子吸收光谱；计算目标晶体材料的分子振动模式，并由分子振动模式计算电偶极矩变化；由电偶极矩变化计算目标晶体材料的分子振动吸收光谱；根据本征吸收光谱、自由载流子吸收光谱、声子吸收光谱和分子振动吸收光谱计算目标晶体材料的红外光谱。本发明能快速预测晶体材料的红外性能。
  • 一种晶体材料红外性能预测方法系统
  • [发明专利]D-A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的应用-CN201910070702.X有效
  • 汪天洋;胡文平;冯文慧;韩江丽 - 天津大学
  • 2019-01-18 - 2021-05-28 - C10L1/26
  • 本发明公开了一种D‑A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的应用，将所述D‑A型有机掺杂晶体余辉材料放入油中，所述D‑A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的长余辉发光时间为3～6s。本发明的D‑A型有机掺杂晶体余辉材料为颗粒较小的固体粉末，大小均一，将其放入油中，油不会影响D‑A型有机掺杂晶体余辉材料的长余辉发光性能，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料也不会影响油的使用。其中，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料可以作为油的防伪使用，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料放在油中，随着油的燃烧使用，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料被生物降解，不影响机器及发动机的寿命。
  • 有机掺杂晶体余辉材料中的应用
  • [发明专利]一种晶体材料光学性能的获取方法-CN202110554561.6在审
  • 邓水全;程曦月;秘汉相;李振华 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2021-05-20 - 2022-11-22 - G16C60/00
  • 本发明公开了一种晶体材料光学性能的获取方法，包括获取晶体材料的波函数及电子结构；根据波函数和电子结构，构造晶体材料的位置矩阵元；根据位置矩阵元计算晶体材料的线性光学极化率、非线性光学极化率以及晶体材料中的单原子对晶体材料的非线性光学极化率的贡献中的至少一种本发明能够准确获知晶体材料线性和非线性光学极化率以及该晶体材料中每个原子对非线性光学极化率的贡献，区分元素导带和价带的贡献，不仅有助于划分NLO材料的功能基元，寻找新型高性能NLO材料，而且对理解光电场和物质相互作用的本质有着重要启发
  • 一种晶体材料光学性能获取方法
  • [发明专利]硅酸镓镧晶体元件的生产方法-CN201010147972.5有效
  • 朱木典;郑燕青;朱柳典;张茁 - 东海县海峰电子有限公司
  • 2010-04-15 - 2010-09-15 - H01L41/22
  • 一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以达到各自的研磨厚度要求；研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理，被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整，得到制造晶体元件所需的频率片；将频率片置于晶体元件基座上，点胶固定，封装，即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强；制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大，温度稳定性好，带边比较陡峭，可以应用于滤波器、高温传感器等方面。
  • 硅酸晶体元件生产方法
  • [发明专利]二维晶体吸附气体的方法及应用-CN202310553418.4在审
  • 高力波;袁国文;黄贤雷;刘伟林 - 南京大学
  • 2023-05-16 - 2023-08-18 - B01D53/32
  • 本发明属于气体存储技术领域，涉及一种二维晶体吸附气体的方法及应用，吸附气体的方法包括：1）选取二维晶体材料；2）将二维晶体材料置于气体吸附腔中；3）向气体吸附腔内通入待吸附气体；4）对置于气体吸附腔中的二维晶体材料注入电荷，促使二维晶体材料表面放电，形成外电场；5）置于二维晶体材料周围的气体在步骤4）的外电场的作用下极化产生偶极矩并与二维晶体材料吸引，形成稳定的结构，完成二维晶体材料对气体的吸附。本发明提供了一种便于操作、吸附稳定性强以及便于操控的二维晶体吸附气体的方法及应用。
  • 二维晶体吸附气体方法应用
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